چین از سریع‌ترین حافظه فلش جهان رونمایی کرده که با استفاده از فناوری نوین و الگوریتم‌های هوش مصنوعی نوسازی شده است.
به گزارش امواج‌برتر و به نقل از شینهوا، تیم تحقیقاتی چینی یک حافظه فلش ابداع کرده‌اند که توانایی ذخیره‌سازی هر بیت با سرعت ۴۰۰ پیکوثانیه است که رکورد جدیدی برای سریع‌ترین دستگاه نیمه رسانای حافظه به حساب می‌آید. پیکوثانیه یک هزارم نانوثانیه یا یک تریلیونم ثانیه است. به عبارت دیگر این حافظه می‌تواند حدود ۲۵ میلیارد عملیات در ثانیه انجام دهد.
این حافظه غیرفرار PoX که نام دارد حتی از سریع‌ترین فناوری‌های حافظه فرار که برای ذخیره یک بیت داده به حدود ۱ تا ۱۰ نانوثانیه نیاز دارند، بهتر عمل می‌کند.
حافظه‌های فرار مانند SRAM و DRAM که با قطع برق داده‌هایشان از دست می‌رود، برای سیستم‌های کم مصرف مناسب نیستند. در این میان حافظه‌های غیرفرار مانند فلش که در مصرف انرژی صرفه‌جویی می‌کنند نیز نمی‌توانند نیازهای دسترسی سریع به داده در زمینه هوش مصنوعی را بر آورده کنند.
محققان دانشگاه فودان یک با استفاده از مکانیسمی نوین یک حافظه دو بعدی Direc با کانال گرافن( two-dimensional Dirac graphene-channel flash memory) ابداع کردند که مرزهای سرعت ذخیره‌سازی اطلاعات غیر فرار و دسترسی به آن را شکست.
ژوپنگ محقق ارشد این پژوهش می‌گوید: ما با استفاده از الگوریتم‌های هوش مصنوعی برای بهینه‌سازی این نوآوری را به میزان قابل توجهی ارتقا دادیم و زمینه را برای کاربردهای آینده فراهم کردیم.
این تحقیق در ژورنال نیچر منتشر شده است.
دیدگاهتان را بنویسید.